FQP7N65C


650v n-channel mosfet

Купить FQP7N65C ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FQP7N65C
Версия для печати

Технические характеристики FQP7N65C

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияQFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4 Ohm @ 3.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C7A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1245pF @ 25V
Power - Max160W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220
Product Change NotificationProduct Discontinuation 09/Sept/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQP7N65C (MOSFET)

650V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQP7N65C datasheet
886.6 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход