HUF76629D3S

Версия для печати

Технические характеристики HUF76629D3S

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	UltraFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	46nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1285pF @ 25V
Power - Max	110W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

HUF76629D3S (MOSFET)

N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

HUF76629D3S datasheet
203.1 Кб