FQI6N60CTU


Купить FQI6N60CTU ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FQI6N60CTU MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK
Версия для печати

Технические характеристики FQI6N60CTU

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationDesign/Process Change Notification 26/June/2007
СерияQFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs2 Ohm @ 2.75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C5.5A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds810pF @ 25V
Power - Max125W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
КорпусI2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FQI6N60CTU datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход