FQB12P10TM


Купить FQB12P10TM ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FQB12P10TM MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK
Версия для печати

Технические характеристики FQB12P10TM

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationProduct Discontinuation 09/Sept/2008
СерияQFET™
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs290 mOhm @ 5.75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C11.5A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds800pF @ 25V
Power - Max3.75W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD²PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FQB12P10TM datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход