FQB2N30TM


Купить FQB2N30TM ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FQB2N30TM MOSFET N-CH 300V 2.1A D2PAK MOSFET N-CH 300V 2.1A D2PAK
Версия для печати

Технические характеристики FQB2N30TM

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияQFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7 Ohm @ 1.05A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.1A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds130pF @ 25V
Power - Max3.13W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD²PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FQB2N30TM datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход