FQD12P10TF


Купить FQD12P10TF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FQD12P10TF MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
Версия для печати

Технические характеристики FQD12P10TF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationLead Dimension Change 23/Jan/2007
СерияQFET™
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs290 mOhm @ 4.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C9.4A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds800pF @ 25V
Power - Max2.5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FQD12P10TF datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход