FQI8P10TU


Купить FQI8P10TU ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FQI8P10TU MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK
Версия для печати

Технические характеристики FQI8P10TU

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияQFET™
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs530 mOhm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C8A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds470pF @ 25V
Power - Max3.75W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
КорпусI2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FQI8P10TU datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход