FQD2N60CTF


Купить FQD2N60CTF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FQD2N60CTF MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Версия для печати

Технические характеристики FQD2N60CTF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationLead Dimension Change 23/Jan/2007 Passivation Material Change 14/May/
СерияQFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7 Ohm @ 950mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1.9A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds235pF @ 25V
Power - Max2.5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FQD2N60CTF datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход