FQD1N50TF


Купить FQD1N50TF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FQD1N50TF MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK
Версия для печати

Технические характеристики FQD1N50TF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationLead Dimension Change 23/Jan/2007
СерияQFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs9 Ohm @ 550mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1.1A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs5.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds150pF @ 25V
Power - Max2.5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FQD1N50TF datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход