FQU7N10LTU


Купить FQU7N10LTU ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FQU7N10LTU MOSFET N-CH 100V 5.8A IPAK MOSFET N-CH 100V 5.8A IPAK
Версия для печати

Технические характеристики FQU7N10LTU

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationLead Dimension Change 23/Jan/2007
СерияQFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs350 mOhm @ 2.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C5.8A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs6nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds290pF @ 25V
Power - Max2.5W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
КорпусI-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FQU7N10LTU datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход