FDR6580
|
MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 11.2A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3829pF @ 10V |
| Power - Max | 900mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SSOT, SuperSOT-8 |
| Корпус | 8-SSOT |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
