FDB6670AS

Версия для печати

Технические характеристики FDB6670AS

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	PowerTrench®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 31A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	62A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	39nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1570pF @ 15V
Power - Max	62.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	TO-263AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDB6670AS (MOSFET)

30V N-Channel PowerTrench SyncFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDB6670AS datasheet
784.9 Кб