FDU6512A
|
MOSFET N-CH 20V 10.7A I-PAK |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 10.7A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 19nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1082pF @ 10V |
| Power - Max | 1.6W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Корпус | I-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
