FDS6162N7


Купить FDS6162N7 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FDS6162N7
Версия для печати

Технические характеристики FDS6162N7

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияPowerTrench®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5 mOhm @ 23A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C23A
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs73nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds5521pF @ 10V
Power - Max3W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Корпус8-SOIC
Product Change NotificationMold Compound Change 30/Jan/2008 Mold Compound Change 27/March/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход