RFP4N100
|
MOSFET N-CH 1KV 4.3A TO-220AB
|
Версия для печати
Технические характеристики RFP4N100
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 2.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 120nC @ 20V |
| Power - Max | 150W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
