Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
FET Feature | Standard |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | CoolMOS™ |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20.7A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 114nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2400pF @ 25V |
Power - Max | 208W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | PG-TO263-3 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
40EPF06PBF | VISHAY | |||||||
40EPF06PBF | Vishay/Semiconductors | |||||||
GR443DR73D472KW01L | Murata Electronics North America | |||||||
GR443DR73D472KW01L | ||||||||
GR443DR73D472KW01L | MUR | 10 293 | 25.24 | |||||
GR443DR73D472KW01L | MURATA | |||||||
GRM55DR72J224KW01L | Керамический конденсатор 0.22 мкФ 630 В | MURATA | 4 480 | 33.46 | ||||
GRM55DR72J224KW01L | Керамический конденсатор 0.22 мкФ 630 В | Murata Electronics North America | ||||||
GRM55DR72J224KW01L | Керамический конденсатор 0.22 мкФ 630 В | MUR | 49 886 | 36.01 | ||||
GRM55DR72J224KW01L | Керамический конденсатор 0.22 мкФ 630 В | 8 | ||||||
SSR-1 440V 25A (Z)D1 (4-16V) | 52 | 473.45 | ||||||
STB11NM80T4 | ST MICROELECTRONICS | |||||||
STB11NM80T4 | ST MICROELECTRONICS SEMI | |||||||
STB11NM80T4 | STMicroelectronics | |||||||
STB11NM80T4 |
|