MOSFET N-CH 250V 13A SC-67 |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 6.5A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 13A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1800pF @ 10V |
Power - Max | 45W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | 2-10R1B |
Корпус | TO-220NIS |
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRG4PC50UD | Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | INTERNATIONAL RECTIFIER | 44 | 629.75 | ||||
IRG4PC50UD | Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | 904.00 | ||||||
IRG4PC50UD | Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | ФИЛИППИНЫ | ||||||
IRG4PC50UD | Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | INFINEON | ||||||
IRG4PC50UD | Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | IR/VISHAY | ||||||
RJH60F5DPQ | RENESAS | |||||||
RJH60F5DPQ |
|