IXFH110N10P

Версия для печати

Технические характеристики IXFH110N10P

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	PolarHT™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	110A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3550pF @ 25V
Power - Max	480W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247
Корпус	TO-247

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFH110N10P (MOSFET)

PolarHT HiPerFET Power MOSFET

Производитель:
ISSI

IXFH110N10P datasheet
309.1 Кб