IXTA60N20T


Купить IXTA60N20T ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXTA60N20T MOSFET N-CH 200V 60A TO-263 MOSFET N-CH 200V 60A TO-263
Версия для печати

Технические характеристики IXTA60N20T

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrench™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs40 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C60A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs73nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds4530pF @ 25V
Power - Max500W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусTO-263
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
IRFP9140 Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100V, 21A, 180W)   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP9140 Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100V, 21A, 180W)   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP9140 Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100V, 21A, 180W)     Заказ радиодеталей 123.16 
IRFP9140 Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100V, 21A, 180W)   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
  IXTA50N25T   IXYS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  IXTA50N25T     Заказ радиодеталей цена радиодетали
    UTC2003       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    UTC2003       Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ808А Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP переключательный     Заказ радиодеталей 179.12 
КТ808А Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP переключательный   УЛЬЯНОВСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход