STW10NK60Z

Версия для печати

Технические характеристики STW10NK60Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 4.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	70nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1370pF @ 25V
Power - Max	156W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STW10NK60Z (MOSFET)

N-channel 650 V, 0.65 ?, 10 A, SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected TO-247

Производитель:
STMicroelectronics

STW10NK60Z datasheet
858.5 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1206-680 1%	ЧИП — резистор		128	0.84 >500 шт. 0.28
1N5358BRLG	Стабилитрон 5W 22V 5%	ON SEMICONDUCTOR	8	13.96
1N5358BRLG	Стабилитрон 5W 22V 5%	ONS
1N5358BRLG	Стабилитрон 5W 22V 5%
1N5358BRLG	Стабилитрон 5W 22V 5%	HOTTECH
HCPL3120-000E PBF	Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А
P4404EDG		NIKO
P4404EDG				144.48
P4404EDG				144.48
P4404EDG		NIKO-SEM
STP10NK60Z	Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R	ST MICROELECTRONICS
STP10NK60Z	Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R	ST MICROELECTRONICS SEMI
STP10NK60Z	Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R			320.00
STP10NK60Z	Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R	STMicroelectronics
STP10NK60Z	Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R	ФИЛИППИНЫ
STP10NK60Z	Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R	ST MICROELECTRO