Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | SuperMESH™ |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 22.7nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 590pF @ 25V |
Power - Max | 90W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SK3567 | Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W) | TOSHIBA | ||||||
2SK3567 | Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W) | TOS | ||||||
2SK3567 | Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W) | 3 | 140.40 | |||||
2SK3567 | Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W) | FAIR | ||||||
2SK3567 | Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W) | TOSHIBA | 156 | |||||
ICE2PCS01GXT | INFINEON | |||||||
ICE2PCS01GXT | ||||||||
IKW50N60T | Infineon Technologies | |||||||
IKW50N60T | INFINEON | |||||||
IKW50N60T | ||||||||
NCP1200P60G | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
NCP1200P60G | ONS | |||||||
NCP1200P60G | 196.00 | |||||||
NCP1200P60G | КИТАЙ | |||||||
NCP1200P60G | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
NCP1200P60G | ON SEMICONDUCTO | |||||||
SS8050 | Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz | SAMSUNG | ||||||
SS8050 | Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz | 36 938 | 1.02 | |||||
SS8050 | Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz | CJ | 2 640 | 4.92 | ||||
SS8050 | Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz | YJ | ||||||
SS8050 | Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz | HOTTECH | 12 168 | 1.73 |
|