IRF7815PBF
|
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1647pF @ 75V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
