MOSFET N-CH 20V 26A PQFN |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 20A, 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 26A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 78nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3620pF @ 10V |
Power - Max | 2.7W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-VQFN Exposed Pad |
Корпус | PQFN (3x3) |
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLR2905 | N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ... | INTERNATIONAL RECTIFIER | 80 | 79.05 | ||||
IRLR2905 | N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ... | 63.44 | ||||||
IRLR2905 | N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ... | МЕКСИКА | ||||||
IRLR2905 | N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ... | INFINEON | ||||||
OPA335AIDBVR | Texas Instruments | |||||||
OPA335AIDBVR | TEXAS INSTRUMENTS | |||||||
OPA335AIDBVR | ||||||||
OPA335AIDBVR | TEXAS | |||||||
RC1206JR-0733KL | YAGEO | 415 090 | 1.97 | |||||
RC1206JR-0733KL | YAGEO | 5 516 | ||||||
RC1206JR-0733KL | ||||||||
RC1206JR-0743KL | YAGEO | 131 452 |
0.87 >500 шт. 0.29 |
|||||
RC1206JR-0743KL | YAGEO | |||||||
RC1206JR-0743KL | ||||||||
SDR0604-2R2ML | Индуктивность 2, 2 мкГн SMD | BOURNS | 200 | 45.66 | ||||
SDR0604-2R2ML | Индуктивность 2, 2 мкГн SMD | 96.00 | ||||||
SDR0604-2R2ML | Индуктивность 2, 2 мкГн SMD | ВОURNS | 288 | 38.38 |
|