IRF7467PBF


Купить IRF7467PBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF7467PBF MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Версия для печати

Технические характеристики IRF7467PBF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs12 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C11A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs32nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2530pF @ 15V
Power - Max2.5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IRF7467PBF datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход