IRFPG40PBF
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (1000V, 4.3A, 150W, 3.5R)
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 2.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1600pF @ 25V |
| Power - Max | 150W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFPG40PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
