IRFIBC20G


Hexfet® power mosfet

Купить IRFIBC20G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRFIBC20G
Версия для печати

Технические характеристики IRFIBC20G

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.4 Ohm @ 1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1.7A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
Power - Max30W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3 Full Pack, Isolated
КорпусTO-220-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFIBC20G (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFIBC20G datasheet
155.3 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход