FDA20N50_F109
|
Версия для печати
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 22A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 11A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | UniFET™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 59.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3120pF @ 25V |
| Power - Max | 280W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Корпус | TO-3P |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
