HUF75639G3
N-channel ultrafet power mosfets
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | UltraFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 56A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 56A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 130nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2000pF @ 25V |
| Power - Max | 200W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247 |
| Product Change Notification | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
HUF75639G3 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Производитель:
|
