FQPF6N80T

Версия для печати

Технические характеристики FQPF6N80T

Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.95 Ohm @ 1.65A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	QFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1500pF @ 25V
Power - Max	51W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220F

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.