FQU4N50TU_WS


Купить FQU4N50TU_WS ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FQU4N50TU_WS MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Версия для печати

Технические характеристики FQU4N50TU_WS

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияQFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7 Ohm @ 1.3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.6A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs13nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds460pF @ 25V
Power - Max2.5W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
КорпусI-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FQU4N50TU_WS datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход