FDFM2N111
|
MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Diode (Isolated) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3.8nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 273pF @ 10V |
| Power - Max | 800mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-MLP, Power33 |
| Корпус | MicroFET 3x3mm |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
