FDV302P_NB8V001


Купить FDV302P_NB8V001 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FDV302P_NB8V001 MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23 MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
Версия для печати

Технические характеристики FDV302P_NB8V001

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs10 Ohm @ 200mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C120mA
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs0.31nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds11pF @ 10V
Power - Max350mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусSOT-23
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FDV302P_NB8V001 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход