SI7858BDP-T1-GE3


Купить SI7858BDP-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI7858BDP-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 40A 8SOIC MOSFET N-CH 12V 40A 8SOIC
Версия для печати

Технические характеристики SI7858BDP-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C40A
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs84nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds5760pF @ 6V
Power - Max48W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)PowerPAK® SO-8
КорпусPowerPAK® SO-8
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход