AO4441

MOSFET P-CH 60V 4A 8-SOIC

Версия для печати

Технические характеристики AO4441

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1120pF @ 30V
Power - Max	3.1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOIC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

AO4441 datasheet