STW21N65M5


N-channel 650 v, 0.159 ?, 17 a mdmesh™ v power mosfet

Купить STW21N65M5 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
STW21N65M5
Версия для печати

Технические характеристики STW21N65M5

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияMDmesh™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs190 mOhm @ 8.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C17A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs50nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1950pF @ 100V
Power - Max125W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-247
КорпусTO-247-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STW21N65M5 (MOSFET)

N-channel 650 V, 0.159 ?, 17 A MDmesh™ V Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STW21N65M5 datasheet
708.6 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход