IRFH5250TR2PBF


Купить IRFH5250TR2PBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRFH5250TR2PBF MOSFET N-CH 25V 45A PQFN MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
Версия для печати

Технические характеристики IRFH5250TR2PBF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.15 mOhm @ 50A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C45A
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 150µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds7174pF @ 13V
Power - Max3.6W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-VQFN
КорпусPQFN (5x6) Single Die
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IRFH5250TR2PBF datasheet

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
IRFH5300TR2PBF   International Rectifier Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFH5300TR2PBF   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
  LM5111-3M     NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  LM5111-3M     NSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
  LM5111-3M       Заказ радиодеталей 133.28 
  LM5111-3M     TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход