HTNFET-T
|
MOSFET N-CHANNEL 55V 4-PIN
|
Версия для печати
Технические характеристики HTNFET-T
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Серия | HTMOS™ |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 4.3nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 290pF @ 28V |
Power - Max | 50W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | 4-DIP |
Корпус | 4-DIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.