Транзистор полевой SMD |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 900mA, 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.5A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V |
Power - Max | 2W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
Корпус | SOT-223 |
IRLL110 (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF9610 | P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C) | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRF9610 | P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C) | VISHAY | ||||||
IRF9610 | P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C) | 64.36 | ||||||
IRF9610 | P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C) | Vishay/Siliconix | ||||||
IRF9610 | P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C) | КИТАЙ | ||||||
IRF9610 | P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C) | VISHAY/IR | ||||||
Е193Б | 149.76 |
|