IRFB13N50APBF

Версия для печати

Технические характеристики IRFB13N50APBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 8.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	14A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	81nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1910pF @ 25V
Power - Max	250W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB13N50APBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFB13N50APBF datasheet
189.5 Кб