IRFBF20PBF


МОП-Транзистор, N-кан, Vси = 900В, Rоткр = 8 Ом, Ic = 1.7A, 54Вт

Купить IRFBF20PBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRFBF20PBF
Версия для печати

Технические характеристики IRFBF20PBF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs8 Ohm @ 1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1.7A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds490pF @ 25V
Power - Max54W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFBF20PBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFBF20PBF datasheet
249.8 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход