IRLD014PBF
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=1,7A@T=25C, Id=1,2A@T=100C, Rds=0.2 Ohm (max), P=1,3 W, -55 to +175C).
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1A, 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.4nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 400pF @ 25V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRLD014PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
