MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | TrenchFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 20A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 50A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 117nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4750pF @ 20V |
Power - Max | 83W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | PowerPAK® SO-8 |
Корпус | PowerPAK® SO-8 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HP1-4-9M 0.125 1K | 12 | 16.80 | ||||||
ULN2004ADR | 7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS | TEXAS INSTRUMENTS | ||||||
ULN2004ADR | 7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS | TEXAS INSTRUMENTS | 580 | |||||
ULN2004ADR | 7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS | TEXAS | ||||||
ULN2004ADR | 7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS | 1 | 118.80 | |||||
ULN2004ADR | 7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS | 1 | ||||||
АММОНИЯ ПЕРСУЛЬФАТ (NH4)2S2O8 0.25КГ | 187.20 | |||||||
К10-17 0.1МКФ X7R 50В |
|