DMN100-7-F
|
MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Product Change Notification | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 150pF @ 10V |
| Power - Max | 500mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SC-59-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
