DMN2100UDM-7
|
MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Product Change Notification | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 6A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 555pF @ 10V |
| Power - Max | 900mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-23-6 |
| Корпус | SOT-26 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
