|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
|
4
|
13.20
|
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
FAIRCHILD
|
78
|
|
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N4401BU |
|
NPN 40V 0,6A 0,625W
|
ONS
|
552
|
25.58
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
DC COMPONENTS
|
720
|
3.84
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
OTHER
|
582
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
MOTOROLA
|
618
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N4403 |
|
Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт)
|
|
12 080
|
2.21
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
600 509
|
1.73
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
61 574
|
2.38
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
2 874
|
5.28
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
301
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
5 333
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
81 603
|
1.97
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
596
|
1.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.34
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
368
|
1.51
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
1 675
|
1.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.18
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 024 143
|
1.14
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
681 691
|
1.23
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
152 000
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
39 113
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
43 200
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
2 240
|
1.60
|
|
|
|
BQ24090DGQR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
34
|
823.20
|
|
|
|
BQ24090DGQR |
|
|
|
|
|
|
|
|
BQ24090DGQR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
MCP602-I/P |
|
2x Op-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP602-I/P |
|
2x Op-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us
|
|
4
|
144.00
|
|
|
|
MCP602-I/P |
|
2x Op-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP602-I/P |
|
2x Op-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|