FDP20N50F

Версия для печати

Технические характеристики FDP20N50F

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	UniFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	260 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	65nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3390pF @ 25V
Power - Max	250W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDP20N50F (MOSFET)

500V N-Channel MOSFET, FRFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDP20N50F datasheet
824.9 Кб