Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.3A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 3.3A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | PowerTrench® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 880pF @ 50V |
Power - Max | 2.3W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-WDFN Exposed Pad |
Корпус | 8-MLP (3.3x3.3) |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MSP430F5528IRGCT | TEXAS INSTRUMENTS | |||||||
MSP430F5528IRGCT | TEXAS INSTRUMENTS | |||||||
MSP430F5528IRGCT | ||||||||
MSP430F5528IRGCT | TEXAS | |||||||
NFM18PS105R0J3D | MURATA | 315 | 5.90 | |||||
NFM18PS105R0J3D | MURATA | |||||||
NFM18PS105R0J3D | Murata Electronics North America | |||||||
NFM18PS105R0J3D | MUR | 74 044 | 3.23 | |||||
NFM18PS105R0J3D | ||||||||
SMAJ58A-TR | Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA | ST MICROELECTRONICS | 125 | 19.29 | ||||
SMAJ58A-TR | Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA | ST MICROELECTRONICS SEMI | 8 878 | |||||
SMAJ58A-TR | Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA | STMicroelectronics | ||||||
SMAJ58A-TR | Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA | |||||||
SRU1048-330Y | BOURNS | 4 | 92.50 | |||||
SRU1048-330Y | ||||||||
TPS73118DBVT | TEXAS INSTRUMENTS | |||||||
TPS73118DBVT | 5 | 216.00 | ||||||
TPS73118DBVT | TEXAS INSTRUMENTS | 32 | ||||||
TPS73118DBVT | TEXAS | |||||||
TPS73118DBVT | 1 |
|