FDD7N20TM


Купить FDD7N20TM ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FDD7N20TM
Версия для печати

Технические характеристики FDD7N20TM

Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs690 mOhm @ 2.5A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияUniFET™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C5A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs6.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds250pF @ 25V
Power - Max43W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход