FDN359BN


N-channel logic level powertrench mosfet

Купить FDN359BN ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FDN359BN
Версия для печати

Технические характеристики FDN359BN

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияPowerTrench®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs46 mOhm @ 2.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.7A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds650pF @ 15V
Power - Max460mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус3-SSOT
Product Change NotificationMold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDN359BN (MOSFET)

N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDN359BN datasheet
101 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход