NTJD2152PT4G
|
MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363
|
Версия для печати
Технические характеристики NTJD2152PT4G
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 570mA, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 775mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 225pF @ 8V |
| Power - Max | 270mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SOT-363 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
